研究シーズ集

研究の目的、概要、期待される効果

　四探針法は、半導体材料の抵抗率測定法として半導体材料の製造工程において最も広く用いられています。四探針法に使用された山下法などの補正計算方式は、オリフラの周辺やウェハーのエッジ付近では補正計算の誤差が大きいという欠点があります。
　本研究開発では、有限要素法を用いたシミュレーションによって、四探針法の新しい補正係数計算方法を開発しました。当該補正係数の計算方法により、従来の方法で扱い難い非定型形状の半導体材料や、ウェハーのエッジ付近の抵抗率の測定に対して、高精度な補正係数の算出ができます。

本研究で開発した方法の特徴：
＞高精度　補正係数の計算値と理論上の厳密値の相対誤差を0.02%以下に抑える。
＞広い測定範囲に対応　エッジから1ｍｍ以上離れている範囲で抵抗率測定に対応できる。
＞様々な形状に対応　ウェハーのオリフラ、ノッチとエッジ断面の形状に対応可能。
＞大口径(45ｃｍ以上）ウェハーの場合、エッジ付近も測定でき、材料の有効利用が可能となる。
＞四探針法以外新たな測定方法の補正係数の算出が可能。

四探針法による抵抗率の測定

オリフラのあるウェハー